山东剪脚压敏电阻MOV

氧化锌压敏电阻器的瓷体，属于半导体，包括了94％-98％的氧化锌和2-6％的添加剂(例如，氧化铋、氧化钴、氧化锰、氧化镍、氧化锑、氧化硼、氧化铬、氧化硅等氧化物)。但是，氧化锌压敏电阻器的表面电阻率低和存在氧化物颗粒，电镀时容易产生金属ni和sn镀在瓷体上，即产生“爬镀”现象，从而使两个端电极短路，导致变阻器成为导体。为避免爬镀现象的发生，一般需要对瓷体进行表面处理，使其表面绝缘化，且不易产生爬镀。玻璃包封工艺，是一种常用的表面处理技术，具体是先制备玻璃粉，以玻璃粉为主要成分加入有机添加剂等制备成玻璃浆料，然后通过喷涂设备对产品进行多面多次的喷涂方式在电子元器件上包覆一层绝缘玻璃层。这种方法工艺不仅繁琐、操作次数多，需要特定的喷涂设备和装置，而且在喷涂浆料的过程中，容易出现浆料流挂、不均匀的现象，导致后续电镀出现爬镀、烧结后产品外观出现凹坑、粘片、脱落等问题。高分子绝缘材料进行涂覆包裹的方法在实际生产中也需要特定的夹具和设备，操作要求高，对于小型化器件处理不利于操作。显然，这两种表面处理的使用方面受到了限制，并不适用于简单、批量化处理电子元器件。贴片压敏电阻一般有0402,0603,0805,1206,1210,1812，2220 3220。山东剪脚压敏电阻MOV

压敏电阻的漏电流确定了压敏电阻上加上稳态工作电压后的有功功耗。在一定的电压下引起漏电流工，引起元件的发热，发热功率为IR。普通的SiC避雷器几乎总是有间隙的结构，因此不存在漏电流问题。就这一点而言，SiC是被动元件，而ZnO是个主动的活性元件。其次漏电流的大小确定了稳态工作电压V的数值，在这个电压下元件不会因为产生过高的发热现象，若过度发热，则必须降低V进而减小。有必要从以下2个方面来权衡V及其产生的L:一方面希望把工作电压尽可能放在非线性的开始点，即尽可能的接近ElmA，以获得比较好保护水平:另一方面要防止元件因过度发热而失控。对于电力系统应用的大多数情况而言，将稳定工作电压设定在Em的70%到80%为宜。山东剪脚压敏电阻MOV常用的压敏电阻型号有621KD10或10D621K。

贴片压敏电阻与TVS二极管的区别：贴片压敏电阻是主要以氧化锌为基础的陶瓷半导体产品。 主要采用积层结构，通过积层张数、层间的调整，可以控制击穿电压、静电容量。 而TVS二极管是P型半导体和N型半导体结合而构成的，是硅基ESD防护器件。 在二极管中，也有使用Au丝等的情况。从盘型压敏电阻等初期的压敏电阻时的记忆中，压敏电阻的反应速度慢，经常听到这样的话。 但是，贴片压敏电阻和TVS二极管对施加过电压的反应速度一样。 施加IEC61000-4-2 HBM +8kV后，在1ns以内达到峰值，400ns后施加在保护部件上的电压值几乎为0。压敏电阻和TVS二极管的静电容量幅度大不相同。 由于贴片压敏电阻采用积层结构，所以可以通过增加内部电极的层数，增加静电容量。 用EIA0805以下的尺寸进行比较时，静电容量的最大值有近100倍的差距。 因此，在必须并联放入MLCC的线路中，也有可以用单个贴片压敏电阻应对的情况。

压敏电阻比较大能量（能量耐量）：压敏电阻所吸收的能量通常按下式计算W=kIVT(J)其中I——流过压敏电阻的峰值；V——在电流I流过压敏电阻时压敏电阻两端的电压；T——电流持续时间；k——电流I的波形系数。对：2ms的方波k=1，8/20μs波k=1.4，10/1000μsk=1.4。压敏电阻对2ms方波，吸收能量可达330J每平方厘米；对8/20μs波，电流密度可达2000A每立方厘米，这表明他的通流能力及能量耐量都是很大的。一般来说压敏电阻的片径越大，它的能量耐量越大，耐冲击电流也越大，选用压敏电阻时还应当考虑经常遇到能量较小、但出现频率次数较高的过电压，如几十秒、一两分钟出现一次或多次的过电压，这时就应该考虑压敏电阻所能吸收的平均功率。10D压敏电阻脚间距一般为7.5mm。

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。压敏电阻是一种限压型保护器件。山东剪脚压敏电阻MOV

压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。山东剪脚压敏电阻MOV

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